Bilgisayar tabanına göre Samsung, Samsung Foundry Forum 2022 etkinliğinde bellek yol haritasını tanıttı. Aşağıdaki şekilde gösterildiği gibi Samsung, önümüzdeki yıl olan 2023’te 1 milyar nm işlem aşamasına girecek. Ayrıca, bellek yongası kapasitesi 24Gb (3GB) – 32Gb (4GB)’a ulaşacak. Ayrıca yerel hız 6.4-7.2Gbps olacaktır. Video belleği açısından ise önümüzdeki yıl yeni nesil bir GDDR7 video belleği çıkacak. Böylece, yeni nesil AMD ve Nvidia grafik kartlarının orta vadeli makyajı GDDR7 video belleği kullanabilir.
Ayrıca Samsung, bazı uzun vadeli vizyonlar da yaptı. Şirket , 2026’da DDR6 belleği piyasaya sürmeyi ve 2027’de yerel 10Gbps hıza ulaşmayı planlıyor. Samsung, 2024’te beklenen V9 NAND yongaları ile flash bellek yol haritasını da açıkladı.
Samsung, önceki Tech Day 2022 etkinliğinde dokuzuncu nesil V-NAND’ın geliştirilme aşamasında olduğuna dikkat çekti. Şirketin programına göre, bu çip 2024’te seri üretime girecek. 2030’a kadar şirket, gelecekteki veri yoğun teknolojileri daha iyi desteklemek için 1.000’den fazla NAND katmanı yerleştirmeyi planlıyor. Ayrıca dünyanın en yüksek kapasiteli 1Tb TLC V-NAND’ının bu yılın sonuna kadar müşterilerin kullanımına sunulacağını duyurdu.
Samsung 40 yılda 1 trilyon GB bellek üretti
Samsung Tech Day 2022 etkinliğinde Samsung Electronics Başkanı ve bellek iş başkanı Jung-bae Lee, şirketin 40 yılı aşkın bir sürede toplam 1 trilyon GB bellek ürettiğini söyledi. İşin ilginç yanı, 1 trilyon GB’ın yaklaşık yarısının son üç yılda üretilmiş olması.
Samsung, sırasıyla 30 ve 20 yıldır DRAM ve NAND’da lider olduğunu iddia ediyor. Şu anda Samsung, beşinci nesil 10nm sınıfı (1b) DRAM geliştiriyor. Ayrıca sekizinci ve dokuzuncu nesil dikey NAND’ı (V-NAND) geliştiriyor. Şirket, önümüzdeki on yıl için bellek teknolojilerinin en güçlü kombinasyonunu sağlamaya devam etmeyi vaat ediyor.
Son olarak, şirket, müşteri değerini artırmaya yönelik kapsayıcı hedefini yineler. Ayrıca ekosistem ortaklıklarını daha da genişletmek için müşteri odaklı bir geliştirme felsefesi izlediğini iddia ediyor.
